UV照射装置(イレーサー)VUM-3500
用途
フラシュメモリやその他の不揮発性メモリ、イメージセンサなどのチャージ除去、データ消去
特徴
・電荷除去に最適な254nm波長を採用
・単一波長のため低温処理が可能
・低入射角UV光で対象エリアに有効に照射
・LSIの歩留まり向上、信頼性向上を実現
フラシュメモリやその他の不揮発性メモリ、イメージセンサなどのチャージ除去、データ消去
・電荷除去に最適な254nm波長を採用
・単一波長のため低温処理が可能
・低入射角UV光で対象エリアに有効に照射
・LSIの歩留まり向上、信頼性向上を実現